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kSA MOS 鋰離子電池電極應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)
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kSA MOS 鋰離子電池電極應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

產(chǎn)品品牌 k-Space
產(chǎn)地類別 進(jìn)口
廠商性質(zhì) 代理商
產(chǎn)品詳情
彩頁(yè)介紹

采用多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(kSA MOS)原位實(shí)時(shí)應(yīng)力測(cè)量分析,可研究鋰離子電池反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程中或在正常使用過(guò)程中內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力,對(duì)其電化學(xué)性能的影響;即就是在充放電過(guò)程中鋰離子電池外殼表面的應(yīng)力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應(yīng)力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系;進(jìn)而分析充放電過(guò)程中應(yīng)力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應(yīng)力,充放電曲線不重合。


原位薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)kSA MOS Film Stress Measurement System,又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀!

采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量;并且這種設(shè)計(jì)始終保持所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;

典型用戶:如Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國(guó)計(jì)量科學(xué)院等、半導(dǎo)體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等;

相關(guān)產(chǎn)品
     ? 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS Film Stress Tester):同樣采用多光束MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析;
     ? 薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester)
     ? 薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Film Stress Measurement System)

設(shè)備名稱
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping Systems


主要特點(diǎn)
     ? MOS 多光束傳感器技術(shù);
     ? 單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì);
     ? 適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等;
     ? 薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能;
     ? 生長(zhǎng)速率和薄膜厚度測(cè)量;(選件)
     ? 光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量;(選件)
     ? 多基片測(cè)量功能;(選件)
     ? 基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能;(選件)
     ? 實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù),系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn);
     ? 免除了測(cè)量不受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響;


測(cè)試功能
     ? 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量
     ? 實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量
     ? 實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量
     ? 實(shí)時(shí)原位薄膜生長(zhǎng)全過(guò)程應(yīng)力監(jiān)控等


測(cè)試示意圖


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充放電過(guò)程

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動(dòng)力學(xué)循環(huán)過(guò)程
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MOS_Product_Specs.pdf


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