kSA MOS ThermalScan 薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)采用非接觸MOS激光技術(shù)，不但可以對(duì)薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行測(cè)量，還可對(duì)二維應(yīng)力Mapping成像統(tǒng)計(jì)分析，同時(shí)測(cè)量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系。
激光部分和檢測(cè)器固定在同一框架上，這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率，適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析。
? 變溫設(shè)計(jì)：采用真空和低壓氣體保護(hù)，溫度范圍RT-600℃ (多種溫度范圍可選)；
? 樣品快速熱處理功能；
? 樣品快速冷卻處理功能；
? 采用程序化閉環(huán)溫度控制器和陣列鹵素?zé)艏訜崞鳎ＷC**的溫度均勻性和精度；
? 應(yīng)力VS.溫度曲線；
? 曲率VS.溫度曲線；
? 程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；
? 成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析；
? 測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力和翹曲等；
? 客戶可定制氣體（氮?dú)狻鍤夂脱鯕獾龋〥elivery系統(tǒng)；
? 可采用泵入液氮冷卻,*低可達(dá)-30℃。
? 快速數(shù)據(jù)采集在退火、回火或者其他高溫處理過程中；
? 二維薄膜應(yīng)力和曲率分析；
? 均勻的溫度場(chǎng)，可準(zhǔn)確spatially-resolved應(yīng)力測(cè)量；
? 快速熱處理和溫度處理。
? 測(cè)量基片尺寸：up to 300mm；
? 溫度范圍：RT-600℃ (面掃)；RT-1000℃ (線掃)；
? 溫度均勻性：當(dāng)樣品在穩(wěn)定的溫度下測(cè)量時(shí)，在中心80％的樣品上的溫度優(yōu)于±2℃；
? 平均曲率重復(fù)性：小于5×10-5（1/m）（1-sigma）;
? 應(yīng)力測(cè)量范圍：1MPa~7.8GPa；
? 應(yīng)力測(cè)量重復(fù)性：0.32 MPa2；
? 真空腔室真空度: 750mTorr（~1mPa）。
型號(hào)選擇
測(cè)試結(jié)果
玻璃上鍍SiN應(yīng)力測(cè)試結(jié)果80°C
玻璃上鍍SiN應(yīng)力測(cè)試結(jié)果350°C
玻璃上鍍SiN曲率測(cè)試結(jié)果80°C
玻璃上鍍SiN曲率測(cè)試結(jié)果350°C
同類設(shè)備
? 薄膜應(yīng)力測(cè)試儀（kSA MOS 薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力計(jì)）
? 薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀
? 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS)
? kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester
? kSA MOS Film Stress Measurement System
? kSA MOS Film Stress Mapping System
